RH6G040BGTB1 与 BSZ097N04LS G 区别
| 型号 | RH6G040BGTB1 | BSZ097N04LS G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RH6G040BGTB1 | A-BSZ097N04LS G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6mΩ@40A,10V | 14.2mΩ |
| 上升时间 | - | 2.4ns |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 35W |
| Qg-栅极电荷 | - | 18nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 10V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 24S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 16ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSMT8 | - |
| 连续漏极电流Id | 95A | 40A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 2.8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 3.5ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1900pF @ 20V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 14µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 24nC @ 10V |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
|
BSZ097N04LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 40V 40A 14.2mΩ 10V 35W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSZ034N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSZ063N04LS6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSDSON-8-EP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
NVTFS5C454NLWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
NTTFS5C466NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
